半导体参数CV测试系统简述 电容-电压(C-V)测量普遍用于半导体参数测试方面，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（一般称作C-V特性），C-V曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q
1、和固定电荷面密度Qfc等参数。详询一八一四零六六三四七六； 系统方案 普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。

进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描流程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，因而计算出不同电压下的电容值。半导体参数CV测试系统优势频率范围广：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调； 高精密度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；自带CV测试：自带自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能;兼容IV测试：同时支持击穿特性及其漏电流特性测试；实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；​扩展性强：系统采用模块化设计，可以按照需求灵活搭配；
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